（b）不同类型水，国家改革关于一个太阳辐射下的表面温度。

以金属氧硫族化合物为研究切入点，发展发布通过控制材料的晶体结构、尺寸、和掺杂改性来调控其光，电，化学特性。近年来，部门单晶硒化锡屡有报道其可能具有超高的热电性能，部门然而由于其较差的机械性能以及苛刻的晶体生长条件，单晶硒化锡较难应用于实际热电器件中。

在基于高Sn空位浓度的基础上，加快建立迹管该团队首次实现了具有高密度纳米孔结构的p型硒化锡多晶块体，其ZT值在773K下可达到1.1，如图5所示。产品（g）其在SnSe-plane的线扫结果。该团队通过溶剂热法实现了n型锑元素掺杂的硒化锡微米级板条状晶体，碳足如图4所示，碳足其所展现出来的优异的热电性能（773K下ZT达到1.1）得益于其较高的功率因子（2.4μWcm-1 K-2）以及其超低的热导率（0.17Wm-1 K-1）。

SnSe作为一种典型的半导体热电材料，理体拥有如下特点：理体（1）在~800 K发生相变，从正交Pnma结构变为正交Cmcm结构，（2）具有较高的载流子浓度，并能够通过引入空位进一步提高载流子浓度。同时，国家改革关于该团队发现随着铜掺杂浓度的提升，硒化锡单晶的择优生长会发生变化，由板条状逐渐向带状过渡，进而降低了烧结块体材料的各向异性。

发展发布（b）TEM照片观察其缺陷群。

组成热电模块的前提是同时需要p型和n型两种热电材料，部门因此，合成具有高热电性能的n型多晶硒化锡也是研究重点之一。在交互体验方面，加快建立迹管当贝PadGO的表现也让人颇为惊喜。

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